硅酸根測定儀校準項目
(1)外觀(guān)檢查；(2)絕緣電阻(首檢)；(3)分析儀示值誤差；(4)分析儀重復性；(5)分析儀零點(diǎn)漂移；(6)分析儀量程漂移
硅酸根測定儀校準的項目指標
(1)示值誤差校準(用引用誤差)
在SiO2含量為0~50 u g / mL的范圍內，示值誤差不大于其量程的2.0%在SiO2含量為0~200 u g / mL的范圍內，示值誤差不大于其量程的2.5%。
(2)分析儀重復性的校準(用多次測量的標準偏差表示)分析儀重復性測量的標準偏差不大于1.5%。
(3)分析儀零點(diǎn)漂移的校準：在15min內應不超過(guò)1.0 u g / mL。
(4)分析儀量程漂移的校準：在15min內應不超過(guò)2.0 u g / mL。